ترانزیستور NPN POWER 2N3773
ترانزیستور NPN POWER 2N3773 جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی میگردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor میباشد.ترانزیستور POWER 2N3773
نیمه هادی 2N3773 از نوع NPN با جریان حداکثر کلکتور 16 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 140 ولت میباشد. ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 4 ولت و جریان بیس 3.2 آمپر میشود. ترانزیستور NPN POWER 2N3773
و جریان کلکتور 16 آمپر میباشد. جریان شکست کلکتور آن 10 میلی آمپر و گین جریان DC 15 در جریان کلکتور 8 آمپر قابل تحمل است. ترانزیستور NPN POWER 2N3773
ولتاژ کلکتور - امیتر 4 ولت با توان بیشینه 150 وات میباشد. فرکانس این ترانزیستور 4 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 150 درجه سانتیگراد است . و پکیج TO-3 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP میباشد.
ترانزیستور بای پلار(BJT)
ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل میشوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) مینامند.
و ناخالصیهایی که در لایه بیس استفاده میشو با مقدار ناخالصی که در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت هستند. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر میباشد.ترانزیستور NPN POWER 2N3773
و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایهها میباشد.
در نیمه هادی دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری خواهد داشت. که باعث میشود بار الکتریکی از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت نماید.ترانزیستور POWER 2N3773
نیمههای BJT به دو دسته تقسیم میشوند: NPN و PNP
ترانزیستور اثر میدانی یا FET
از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل میشوند. با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته میشود از دو لایه دیگر مجزا میباشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته میشود.
و از طریق ایجاد میدان با لایههای دیگر ارتباط برقرار میکند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز میگردد. ترانزیستور POWER 2N3773
ترانزیستورهای FET به دو دسته تقسیم میشوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type
نوعی دیگر از تراتزیستورها به نام MOSFET (متال اکسید سیمی کانداکتور) وجود دارد که از خانواده ترانزیستورهای اثر میدانی میباشند. ترانزیستور NPN POWER 2N3773
و با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایهای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا میشود. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته میشود. ترانزیستورهای MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد. که NMOS یا PMOS نامیده میشوند. از ویژگی این ترانزیستورها میتوان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود. ترانزیستور NPN POWER 2N3773
ترانزیستو NPN POWER 2N3773 از نوع NPN با ولتاژ قابل تحمل 140 ولت و جریان 16 آمپر در دسترس میباشد.
از نوع NPN با ولتاژ قابل تحمل 140 ولت و جریان 16 آمپر در دسترس میباشد.
مشخصات ترانزیستور NPN POWER 2N3773 :
Features
Pb−Free Packages are Available**
High Safe Operating Area (100% Tested) 150 W @ 100 V
Completely Characterized for Linear Operation
High DC Current Gain and Low Saturation Voltage
hFE = 15 (Min) @ 8.0 A, 4.0 V
VCE(sat) = 1.4 V (Max) @ IC = 8.0 A, IB = 0.8 A