Transistor NPN POWER MJ15024

ترانزیستور NPN POWER MJ15024

ترانزیستور NPN POWER MJ15024 جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی می‌گردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor می‌باشد. نیمه هادی MJ15024 از نوع NPN با جریان حداکثر کلکتور 30 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 250 ولت می‌باشد. ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 5 ولت و جریان بیس 3.2 آمپر می‌شود.  جریان کلکتور 16 آمپر می‌باشد. جریان شکست کلکتور آن 10 میلی آمپر و گین جریان DC 15 در جریان کلکتور 8 آمپر قابل تحمل است.

ولتاژ کلکتور - امیتر 5 ولت با توان بیشینه 250 وات می‌باشد. فرکانس این ترانزیستور 4 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 200 درجه سانتیگراد است . و پکیج TO-3 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP می‌باشد.

ترانزیستور بای پلار(BJT)

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) می‌نامند. ناخالصی‌هایی که در لایه بیس استفاده می‌شو با مقدار ناخالصی که در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت هستند. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می‌باشد و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایه‌ها می‌باشد.

در نیمه هادی دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری خواهد داشت. که باعث می‌شود بار الکتریکی از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت نماید.

نیمه‌های BJT به دو دسته تقسیم می‌شوند: NPN و PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET

 از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می‌شود از دو لایه دیگر مجزا می‌باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته می‌شود. و از طریق ایجاد میدان با لایه‌های دیگر ارتباط برقرار می‌کند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز می‌گردد.

ترانزیستور‌های FET به دو دسته تقسیم می‌شوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور‌ها به نام MOSFET (متال اکسید سیمی کانداکتور) وجود دارد که از خانواده ترانزیستور‌های اثر میدانی می‌باشند. و با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می‌شود. ترانزیستورهای  MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد. که NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور‌ها می‌توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.

ترانزیستور فوق از نوع NPN  با ولتاژ قابل تحمل 140 ولت و جریان 16 آمپر در دسترس می‌باشد.

Features Pb−Free Packages are Available** High Safe Operating Area (100% Tested) 250 W @ 250 V Completely Characterized for Linear Operation High DC Current Gain and Low Saturation Voltage hFE = 15 (Min) @ 8.0 A, 4.0 V VCE(sat) = 1.4 V (Max) @ IC = 8.0 A, IB = 0.8 A

Delivery by post

Orders are shipped by express post anywhere in Iran. The cost is calculated from the destination province and the parcel weight, and shown at checkout.

In-office pickup

Choose in-office pickup to collect your order in person at no delivery charge. We will let you know as soon as it is ready.