Transistor FUJI MOSFET FMH23N50E

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می‌باشد. معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال می‌باشد. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام گذاری این می‌باشد. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می‌گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان که از نام ترانزیستور بر می‌آید، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این می‌باشد. که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. به این دلیل به ماس فِت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E ژاپن

ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا IGBT استفاده می‌شود. هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند. تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل می‌شود که برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب است. با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش می‌شود. یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث می‌شود که آن را خاموش مشابه با BJT یا MOSFET کند.

انواعMOSFET

آی جی بی تی‌ها بر این اساس که لایه +n بافر را داشته باشند یا نداشته باشند، به دو دسته اصلی تقسیم می‌شوند. آنهایی که لایه +n بافر را دارند به نام P-MOSFET خوانده می‌شوند و آن دسته ای که لایه +n بافر را ندارند به نام N- MOSFET خوانده می‌شوند. البته براساس مشخصه‌هایی که دارند. PT-IGBT و NPT- IGBT را به به عنوان آی جی بی تی‌های متقارن و نامتقارن هم نام گذاری می‌کنند. آی جی بی تی‌های متقارن بیشتر در مدارهای AC و آی جی بی تی‌های نامتقارن در مدارهای DC به این علت که نیاز به اعمال ولتاژ در جهت مخالف ندارند، کاربرد دارند.

تست IGBT :

تست سرد و تست گرم

برای انجام تست گرم احتیاج به تجهیزات پیشرفته و گران قیمت است. و  به افراد متخصص و کارآزموده در این زمینه نیاز دارد، در این جا ما فقط به بررسی تست سرد آی جی بی تی می‌پردازیم. اگر هنگام استفاده با آی جی بی تی خود به مشکل برخوردید، با انجام این تست‌ها می‌توانید از کارکرد درست این قطعه مطمئن شوید.

Delivery by post

Orders are shipped by express post anywhere in Iran. The cost is calculated from the destination province and the parcel weight, and shown at checkout.

In-office pickup

Choose in-office pickup to collect your order in person at no delivery charge. We will let you know as soon as it is ready.