Transistor MOSFET 07N60P Taiwanese

ترانزیستور ماسفت 07N60P تایوانی

ترانزیستور ماسفت 07N60P تایوانی با ولتاژ کاری حداکثر 600 ولت، جریان کاری حداکثر 7 آمپر و قدرت 120 وات می‌باشد. و این ماسفت در پکیج TO-220 عرضه می‌شود. این ترانزیستور ماسف از کیفیت خوبی برخوردار می‌باشد.

و به طور گسترده در صنایع الکترونیک قدرت، و قدرت بالا، تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و دستگاه‌های الکترونیکی دیگر استفاده می‌شود.

ترانزیستور ماسفت  07N60P تایوانی

در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می‌باشد. و معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. و اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

و دلیل این نام گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می‌گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. و در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد.

و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. و از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته می‌شود.

و هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است.

که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. و به این دلیل به ماس فِت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

این ترانزیستور ماسفت  MOSFET 07N60P عمدتا در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک مانند BJT یا IGBT استفاده می‌شود. و هنگامی که ترانزیستور هدایت پایین جریان الکتریکی را با مدار تقویت کننده ترکیب می‌کند.

تبدیل به یک سوئیچ حالت جامد ایده آل می‌شود که برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مناسب است. و با فعال و غیرفعال کردن ترمینال گیت به سادگی روشن و خاموش می‌شود.

یک سیگنال ولتاژ ثابت + Ve i / p در سراسر ترمینال‌های گیت و امیتر، دستگاه را در حالت فعال نگه می‌دارد. در حالی که قصد سیگنال ورودی باعث می‌شود که آن را خاموش مشابه باترانزیستور BJT یا ترانزیستور ماسفت MOSFET کند.

• مدل: 07N60P
• نوع قطعه: MOSFET
• نوع کانال: N-Channel
• تکنولوژی: Enhancement Mode
• حداکثر ولتاژ درین به سورس (VDS): 600V
• حداکثر جریان درین (ID): 7A
• حداکثر توان تلفاتی (PD): 120W
• حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 4V (حداکثر)
• مقاومت روشن درین به سورس (RDS(on)): 1.3Ω
• بار کل گیت (Qg): 38nC
• زمان افزایش (Rise Time): 80ns
• ظرفیت خروجی (Output Capacitance - Coss): 115pF
• حداکثر دمای پیوند (TJ): 150°C
• پکیج: TO-220

Delivery by post

Orders are shipped by express post anywhere in Iran. The cost is calculated from the destination province and the parcel weight, and shown at checkout.

In-office pickup

Choose in-office pickup to collect your order in person at no delivery charge. We will let you know as soon as it is ready.