مشخصات و خرید قطعه
موجود در انبار
| گارانتی | ضمانت اصالت کالا |
|---|---|
| کد کالا | 03-01-1 |
ترانزیستور FUJI MOSFET FMH23N50E ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می‌باشد. معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال می‌باشد. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام گذاری این می‌باشد. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می‌گیرد.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان که از نام ترانزیستور بر می‌آید، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این می‌باشد. که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. به این دلیل به ماس فِت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.
سفارش‌ها با پست پیشتاز به سراسر ایران ارسال می‌شوند. هزینه ارسال بر اساس استان مقصد و وزن سفارش محاسبه و در صفحه پرداخت نمایش داده می‌شود.
در صورت انتخاب تحویل حضوری، سفارش بدون هزینه ارسال آماده تحویل در دفتر خواهد بود و پس از آماده‌شدن به شما اطلاع می‌دهیم.
پیشنهاد ما
تجربهٔ خریداران
هنوز نظری برای این کالا ثبت نشده است. اولین نفر باشید.
