ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220

ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220

ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220 جزو گروه نیمه هادیهای BJT یا ترانزیستور تک پیوندی، طبقه بندی می‌گردد. این محصول ساخت برند شرکت on Semiconductor می‌باشد.

و نیمه هادی MJE13009 از نوع NPN با جریان حداکثر کلکتور 12 آمپر و ولتاژ شکست کلکتور- امیتر 600 ولت می‌باشد. ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر 5 ولت و جریان بیس 2 آمپر می‌شود. ترانزیستور MJE13009  TO-220

ولتاژ کلکتور - امیتر 5 ولت با توان بیشینه 100 وات می‌باشد. فرکانس این ترانزیستور 4 مگا هرتز با دمای کاری منفی 50 درجه سانتیگراد تا 200 درجه سانتیگراد است .ترانزیستور MJE13009 پکیج TO220

و پکیج TO-220 با نوع نصب بصورت پایه ای یا DIP می‌باشد.ترانزیستور MJE13009 پکیج

نوع بای پلار(BJT)

ترانزیستورهای BJT یا اتصال دوقطبی از اتصال سه پیوند نیمه هادی با یکدیگر تشکیل می‌شوند. و در این اتصالات لایه وسط را بیس(B) و دو لایه کنار را امیتر(E) و کلکتور(C) می‌نامند. ترانزیستور MJE13009

و ناخالصی‌هایی که در لایه بیس استفاده می‌شود. و با مقدار ناخالصی که در لایه امیتر و لایه کلکتور متفاوت هستند. همچنین میزان ناخالصی موجود در لایه ی امیتر بیشتر از دو لایه دیگر می‌باشد. ترانزیستور MJE13009 پکیج TO220

و عرض لایه بیس کمتر از دو لایه امیتر و کلکتور و عرض لایه کلکتور بخاطر دفع حرارت بیشتر از سایر لایه‌ها می‌باشد.

در نیمه هادی دو قطبی لایه امیتر بخاطر نشر بارهای مثبت و منفی از دولایه بیس و کلکتور ناخالصی بیشتری خواهد داشت. که باعث می‌شود بار الکتریکی از امیتر به ‌سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری نسبت به دو لایه دیگر دارد حرکت نماید.ترانزیستور MJE13009 پکیج

نیمه‌های BJT به دو دسته تقسیم می‌شوند: NPN و PNP

ترانزیستور اثر میدانی یا FET

 از اتصال سه لایه نیمه هادی تشکیل می‌شوند. با این تفاوت که لایه وسط که به عنوان گیت شناخته می‌شود. از دو لایه دیگر مجزا می‌باشد. بدین معنی که به صورت ایزوله ساخته می‌شود. ترانزیستور MJE13009

و از طریق ایجاد میدان با لایه‌های دیگر ارتباط برقرار می‌کند. که این نوع طراحی باعث کاهش جریان گیت نیز می‌گردد.ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220

نوع FET به دو دسته تقسیم می‌شوند: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type

نوعی دیگر از تراتزیستور‌ها به نام MOSFET (متال اکسید سیمی کانداکتور) وجود دارد. که از خانواده ترانزیستور‌های اثر میدانی می‌باشند. و با این تفاوت که گیت MOSFET توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. ترانزیستور MJE13009 پکیج TO220

و به این دلیل به آنها FET با گیت مجزا نیز گفته می‌شود. ترانزیستورهای  MOSFETبسته به کانالی که در آنها شکل می‌گیرد. که NMOS  یا PMOS نامیده می‌شوند. از ویژگی این ترانزیستور‌ها می‌توان به نویز پذیری کم نسبت به FET اشاره نمود.

ترانزیستور فوق از نوع NPN  با ولتاژ قابل تحمل 100 ولت و جریان 12 آمپر در دسترس می‌باشد.

مشخصات ترانزیستور MJE13009 پکیج TO-220 :

• پکیج TO-220AB
• نوع نصب روی برد Through Hole
• منفی یا مثبت NPN قطب
• ولتاژ کلکتور-امیتر 400 ولت
• توان 100 وات
• جریان کلکتور 12 آمپر
• فرکانس 4 مگا هرتز
• حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
• حداکثر دمای عملیاتی +150 درجه سانتیگراد
• تعداد در رول 50 عدد

ارسال با پست

سفارش‌ها با پست پیشتاز به سراسر ایران ارسال می‌شوند. هزینه ارسال بر اساس استان مقصد و وزن سفارش محاسبه و در صفحه پرداخت نمایش داده می‌شود.

تحویل حضوری در دفتر

در صورت انتخاب تحویل حضوری، سفارش بدون هزینه ارسال آماده تحویل در دفتر خواهد بود و پس از آماده‌شدن به شما اطلاع می‌دهیم.