Transistor MOSFET IPD04N03LA Type N-Channel

ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA نوع N-Channel پکیج TO-252-3-11

ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA نوع N-Channel مبتنی بر تکنولوژی TrenchFET می‌باشد. که برای خیلی از کاربردها می‌توان از آن بهره برد. مانند دایور موتو‌های کنترل از راه دور . و یا مبدل‌های DC/DC، کلیدهای بار و تقویت‌کننده‌ها مورد استفاده می‌باشد.

و این ماسفت با داشتن مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (حدود 3.8mΩ در 4.5V) و ظرفیت بار گیت پایین، سرعت کلیدزنی بالایی که دارد.ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA N-Channel

و مصرف توان کمی ایجاد می‌کند. پکیج TO252-3-11 آن مناسب برای مونتاژ سطحی (SMD) می‌باشد. و فضای کمی روی برد اشغال می‌کند. توانایی عبور جریان حداکثر تا 50 آمپر و ولتاژ تخلیه-مبدأ 25 ولت از جمله ویژگی‌های برجسته این قطعه می‌باشد. که آن را برای مدارهای تغذیه، باتری و مدیریت توان ایده‌آل می‌سازد.

  ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA

ماسفت IPD04N03LA

ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor می‌باشد. و معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.

و دلیل این نام گذاری این است. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار می‌گیرد.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. و در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد. و چنان که از نام ترانزیستور پیداست. تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته می‌شود. و هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد. و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

و عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است. که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا می‌شود. و به این دلیل به ماس فِت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مشخصات ترانزیستور ماسفت IPD04N03LA

• برند: infineon
• و مدل: IPD04N03LA
• نوع قطعه: Power MOSFET
• نوع کانال: N-Channel
• و نوع عملکرد: Enhancement Mode
• حداکثر ولتاژ درین به سورس (VDS): 30V
• و حداکثر جریان درین (ID): 50A (طبق دیتاشیت رسمی)
• حداکثر ولتاژ گیت به سورس (VGS): ±20V
• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): 2.5V (حداکثر)
• مقاومت روشن RDS(on): 3.4mΩ حداکثر در VGS=10V
• و مقاومت روشن RDS(on): 3.8mΩ حداکثر در VGS=4.5V
• توان تلفاتی (PD): 115W
• ظرفیت ورودی (Ciss): 2037pF
• و ظرفیت خروجی (Coss): 160pF
• ظرفیت انتقال معکوس (Crss): 78pF
• بار کل گیت (Qg): 38nC
• و بار گیت به سورس (Qgs): 5.7nC
• بار گیت به درین (Qgd): 8.5nC
• حداکثر دمای پیوند (TJ): 150°C
• پکیج: TO-252-3

موارد استفاده ترانزیستور ماسفت SG60N10S1 نوع N-Channel

• سوئیچینگ خطوط تغذیه مثبت (High-Side Switching)
• مبدل‌های DC-DC با کنترل معکوس
• کنترل توان در مدارات کم‌مصرف
• قطع و وصل بار از سمت مثبت ولتاژ
• حفاظت معکوس در ورودی تغذیه
• درایور معکوس LED یا موتور کوچک
• کنترل تغذیه ماژول‌های بی‌سیم
• طراحی سیستم‌های باتری‌محور
• کاربرد در تجهیزات قابل‌حمل و IoT
• مدارهای تغذیه سطح منطقی و حسگرها
• 06-14-6

Delivery by post

Orders are shipped by express post anywhere in Iran. The cost is calculated from the destination province and the parcel weight, and shown at checkout.

In-office pickup

Choose in-office pickup to collect your order in person at no delivery charge. We will let you know as soon as it is ready.