ترانزیستور ماسفت SI2301 نوع P-Channel
ترانزیستور ماسفت SI2301 نوع P-Channel مبتنی بر تکنولوژی TrenchFET میباشد. که برای خیلی از کاربردها میتوان از آن بهره برد. مانند دایور موتوهای کنترل از راه دور . و یا مبدلهای DC/DC، کلیدهای بار و تقویتکنندهها مورد استفاده میباشد. و این ماسفت با داشتن مقاومت بسیار پایین در حالت روشن (حدود 0.055Ω در 4.5V) و ظرفیت بار گیت پایین، سرعت کلیدزنی بالایی که دارد. و مصرف توان کمی ایجاد میکند. پکیج SOT-23 آن مناسب برای مونتاژ سطحی (SMD) میباشد. و فضای کمی روی برد اشغال میکند. توانایی عبور جریان تا 3.6 آمپر و ولتاژ تخلیه-مبدأ 30 ولت از جمله ویژگیهای برجسته این قطعه میباشد. که آن را برای مدارهای تغذیه، باتری و مدیریت توان ایدهآل میسازد.
ترانزیستور ماسفت SI2301
ترانزیستور ماسفت در واقع مخفف کلمات metal–oxide semiconductor field effect transistor میباشد. و معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. و دلیل این نام گذاری این است. که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایۀ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایۀ گِیت قرار میگیرد. در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه پایه به نامهای گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر میگیرند. و در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمیکشد. و چنان که از نام ترانزیستور پیداست. تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود.ترانزیستور ماسفت SI2301 از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور ماسفت در نظر گرفته میشود. و هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمیگذارد. و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. و عمده تفاوت ماس فِت با ترانزیستور JFET در این است. که گیت ترانزیستورهای ماس فِت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا میشود. و به این دلیل به ماس فِتها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.
مشخصات ترانزیستور ماسفت SI2301 نوع P-Channel
- پلاریته: N-Channel MOSFET
- پکیج: SOT-23
- ولتاژ تخلیه-مبدأ (VDS): 30V
- ولتاژ گیت-مبدأ (VGS): ±12V
- جریان تخلیه مداوم در 25°C (ID): تا 3.6A
- جریان تخلیه لحظهای (IDM): تا 15A
- مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=4.5V: حداکثر 0.068Ω
- و مقاومت روشن (RDS(on)) در VGS=2.5V: حداکثر 0.085Ω
- بار کل گیت (Qg): حدود 3nC در 4.5V و 6.5nC در 10V
- ظرفیت ورودی (Ciss): حدود 320pF
- ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): بین 0.6V تا 1.5V
- مقاومت حرارتی اتصال به محیط (RθJA): حداکثر 115°C/W
- و فرکانس کلیدزنی: مناسب برای فرکانسهای بالا
- ولتاژ دیود بدنه (VSD): حداکثر 1.2V در جریان 2.5A
- زمان بازیابی معکوس دیود بدنه (trr): حداکثر 20ns
- و دمای کاری: از -55°C تا +150°C
موارد استفاده ترانزیستور ماسفت SI2300 نوع N-Channel
- سوئیچینگ خطوط تغذیه مثبت (High-Side Switching)
- مبدلهای DC-DC با کنترل معکوس
- کنترل توان در مدارات کممصرف
- قطع و وصل بار از سمت مثبت ولتاژ
- حفاظت معکوس در ورودی تغذیه
- درایور معکوس LED یا موتور کوچک
- کنترل تغذیه ماژولهای بیسیم
- طراحی سیستمهای باتریمحور
- کاربرد در تجهیزات قابلحمل و IoT
- مدارهای تغذیه سطح منطقی و حسگرها
- 06-14-2